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    2. CRF plasma 等離子清洗機

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      crf等離子體發生器技術-PTFE孔薄膜界面表面能測試

      crf等離子體發生器技術-PTFE孔薄膜界面表面能測試:
             PTFE微孔膜有著相對穩定的化學性能、抗高溫、抗腐蝕、優質的防水性、疏油性能、高溫、高濕度、高腐蝕和特殊氣體液體過濾性能,可普遍使用于冶煉、化工類、煤炭、水泥等行業,1種抗高溫復合過濾膜材料。但它極低的表面活性、突出的不粘滯性使它很難與基材復合,從而限制了它的應用。等離子體發生器技術是1種常見的干腐蝕形式,其原理是當離子體原子經過靜電場加速時,氣體暴露在電子區域形成等離子體,產生離子體,釋放由高能量電子組成的氣體,形成等離子體或離子,釋放力足以接近材料或蝕刻表面,與表面驅動力結合。在一定程度上,等離子體發生器清洗實際上是等離子蝕刻過程中的1種輕微現象。干燥蝕刻處理設備包括反應室,電源,真空等部分。部件被送到反應室,氣體被導入等離子體,并進行交換。等離子體的蝕刻過程本質上是一個活躍的等離子過程。近來,反應室里出現了1種擱置形式,使用者可以靈活地移動它來配置合適的等離子體蝕刻方法:反應性等離子體(RIE)、順流等離子體(downstream)和直接等離子體(directionplasma)。

      等離子體發生器

             crf等離子體發生器的表面處理功率不是越大越好。在較低的功率下,隨著功率的增加,處理后的薄膜剪切強度逐漸降低。ICPE是化學和物理過程的綜合結果。其基本原理是:在低壓下,ICP射頻電源輸出到環耦合線圈,耦合光放電后,耦合光放電后混合腐蝕氣體,產生高密度等離子體,在基底表面轟擊下,基底圖形區域半導體材料化學鍵中斷,與腐蝕氣體產生揮發性物質,氣體從基底分離,抽離真空管。


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